| Тип диэлектрика | Диапазон рабочих температур,℃ |
Сопротивление изоляции (>MΩ) |
DF, ≤ | TKE |
|---|---|---|---|---|
| SL | -25 : +85 | 1 000 000 | 6 × 10-4 | ± 650PPM/℃ |
| N4700(DL) | -25 : +85 | 100 000 | 0,2% | +22% : -33% |
| Y5T(D) | -25 : +85 | 100 000 | 0,5% | +22% : -33% |
| Y5U(E) | -25 : +85 | 10 000 | 2% | +22% : -56% |
| Y5V(F) | -25 : +85 | 10 000 | 2% | +22% : -80% |
| Параметр | Значение | |||
|---|---|---|---|---|
| Класс диэлектрика | 1 | 2 | ||
| Тип диэлектрика | SL | N4700 | Y5T | Y5U, Y5V |
| Мин. ёмкость | 10 | 100 | 47 | 2200 |
| Макс. ёмкость | 560 | 2200 | 3300 | 10000 |
| Напряжение (DC) | 2-50 кВ | 6-50 кВ | ||
| Выводы | Радиальные | |||
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Диапазон напряжений (DC) | 10-150кВ |
| Диапазон напряжений (AC) | 3,9-120кВ |
| Точность | ± 10%, ± 1% (по запросу) |
| Тест по напряжению | краткосрочно в 1,5 раза больше номинального |
| Рабочая частота | 30МГц (max) |
| DF | 0,05% (min) |
| Cобственную индуктивность | LS ≤ 30нГн |
| Тип диэлектрика | Электрическая постоянная | Диапазон рабочих температур, ℃ | TKE | DF | Сопротивление изоляции | Условное обозначение |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NPO (COG) | 100 | -40 : +125℃ | ± 60ppm/℃ | 0,05% | >100GΩ | N1 |
| SL | 290-300 | -40 : +85℃ | +350/-100ppm/℃ | 0,05% | >100GΩ | G3 |
| DL | 450 | -35 : +85℃ | ± 650ppm/℃ | 0,05% | >100GΩ | C4 |
| DL | 650-700 | -35 : +85℃ | ± 2,0% | 0,06% | >100GΩ | С6 |
| DL | 850-900 | -35 : +85℃ | ± 3000ppm/℃ | 0,08% | >100GΩ | С8 |
| N4700 | 2000-2200 | -35 : +85℃ | +22/-33% | 0,20% | >100GΩ | E4 |
| Y5T | 1500 | -35 : +85℃ | +22/-33% | 0,20% | >100GΩ | D1 |
| Y5T | 2500 | -35 : +85℃ | +22/-33% | 0,20% | >100GΩ | D2 |
| Y5T | 3500 | -35 : +85℃ | +22/-33% | 0,20% | >100GΩ | D3 |
| Y5T | 5000 | -35 : +85℃ | +22/-33% | 0,20% | >100GΩ | D5 |
| Y5S | 4500-4800 | -35 : +85℃ | ± 22% | 0,20% | >100GΩ | S4 |
| Y5P | 1500 | -35 : +85℃ | ± 10% | 1,50% | >100GΩ | P1 |
| Y5P | 2500 | -35 : +85℃ | ± 10% | 1,50% | >100GΩ | P2 |
| Y5P | 3600-3800 | -35 : +85℃ | ± 10% | 1,50% | >100GΩ | P3 |
| BN | 3600-3800 | -35 : +85℃ | ± 10% | 1,00% | >100GΩ | B3 |